Controlling threshold voltage and leakage currents in vertical organic field-effect transistors by inversion mode operation

Type:
Journal
Info:
Applied Physics Letters 107, 233302 (2015)
Date:
2015-11-26

Author Information

Name Institution
Alrun A. GüntherTechnische Universität Dresden
Christoph HossbachTechnische Universität Dresden
Michael SawatzkiTechnische Universität Dresden
Daniel KasemannCreaPhys GmbH
Johann W. BarthaTechnische Universität Dresden
Karl LeoTechnische Universität Dresden

Films

Plasma Al2O3

Hardware used: Unknown


Film/Plasma Properties

Characteristic: Transistor Characteristics
Analysis: Transistor Characterization

Substrates

Silicon

Notes

435